Introducción al transistor Uni-Junction

Transistor de unión única

Transistor de unión única también se conoce como diodo de base doble porque es un dispositivo de conmutación de estado sólido de 2 capas y 3 terminales. Tiene solo una unión, por lo que se denomina dispositivo de unión única. El rasgo característico único de este dispositivo es que, cuando se activa, la corriente del emisor aumenta hasta que queda restringida por una fuente de alimentación del emisor. Debido a su bajo costo, se puede utilizar en una amplia gama de aplicaciones, incluidos osciladores, generadores de impulsos y circuitos de disparo, etc. Es un dispositivo de absorción de baja potencia y puede funcionar en condiciones normales.

Hay 3 tipos de transistores de unión uni

Transistor de unión Uni original
Transistor de unión Uni de cortesía
Transistor programable Uni-junction (PUT)

1. Transistor de unión Uni original o UJT es un dispositivo simple en el que una barra de material semiconductor de tipo N en el que se difunde material de tipo P en algún lugar a lo largo de su longitud, define el parámetro del dispositivo como un punto de separación intrínseco. El 2N2646 es la versión más utilizada de UJT. Los UJT son muy populares en circuitos de conmutación y nunca se utilizan como amplificadores. En lo que respecta a las aplicaciones de UJT, se pueden utilizar como osciladores de relajación , controles de fase, circuitos de temporización y dispositivos de activación para SCR y triacs.

2. Transistor de unión unidireccional de cortesía o CUJT es una barra de material semiconductor de tipo P en la que se difunde material de tipo N en algún lugar a lo largo de su longitud, lo que define el parámetro del dispositivo como distanciador intrínseco. El 2N6114 es una versión de CUJT.

3. Transistor de unión Uni programable o PUT es un pariente cercano del tiristor al igual que el tiristor, consta de cuatro capas P-N y tiene un ánodo y un cátodo colocados en la primera y última capa. La capa de tipo N cerca del ánodo se conoce como puerta del ánodo. Es de producción económica.

Transistor de unión Uni programable

Entre estos tres transistores, este artículo habla brevemente sobre las características de funcionamiento del transistor UJT y su construcción.

Construcción de UJT

UJT es un dispositivo de tres terminales, unión única y dos capas, y es similar a un tiristor en comparación con los transistores. Tiene un estado desactivado de alta impedancia y un estado activado de baja impedancia bastante similar a un tiristor. Del estado apagado al estado encendido, la conmutación es causada por la modulación de la conductividad y no por la acción de un transistor bipolar.

Construcción de UJT

La barra de silicio tiene dos contactos óhmicos designados como base1 y base2, como se muestra en la fig. La función de la base y el emisor es diferente de la base y el emisor de un transistor bipolar.

El emisor es de tipo P y está muy dopado. La resistencia entre B1 y B2 cuando el emisor está en circuito abierto se llama resistencia entre bases. La unión del emisor suele estar situada más cerca de la base B2 que de la base B1. Por tanto, el dispositivo no es simétrico, porque la unidad simétrica no proporciona características eléctricas a la mayoría de las aplicaciones.

El símbolo del transistor de unión única se muestra en la fig. Cuando el dispositivo tiene polarización directa, está activo o en estado de conducción. El emisor se dibuja en ángulo con la línea vertical que representa la losa de material tipo N y la punta de la flecha apunta en la dirección de la corriente convencional.

Operación de una UJT

Esta operación del transistor comienza haciendo que el voltaje de suministro del emisor sea cero, y su diodo emisor tiene polarización inversa con el voltaje de separación intrínseco. Si VB es el voltaje del diodo emisor, entonces el voltaje de polarización inversa total es VA + VB = Ƞ VBB + VB. Para silicio VB = 0,7 V, si VE aumenta lentamente hasta el punto en que VE = Ƞ VBB, entonces IE se reducirá a cero. Por lo tanto, en cada lado del diodo, voltajes iguales no dan como resultado un flujo de corriente a través de él, ni en polarización inversa ni en polarización directa.

Circuito equivalente de un UJT

Cuando el voltaje de alimentación del emisor aumenta rápidamente, entonces el diodo se polariza hacia adelante y excede el voltaje de polarización inversa total (Ƞ VBB + VB). Este valor de voltaje del emisor VE se llama voltaje de punto pico y se denota por VP. Cuando VE = VP, la corriente del emisor IE fluye a través del RB1 hasta el suelo, es decir, B1. Esta es la corriente mínima requerida para disparar el UJT. Esto se llama corriente de emisor de punto pico y se denota por IP. Ip es inversamente proporcional a la tensión entre bases, VBB.

Ahora, cuando el diodo emisor comienza a conducir, los portadores de carga se inyectan en la región RB de la barra. Como la resistencia de un material semiconductor depende del dopaje, la resistencia de RB disminuye debido a portadores de carga adicionales.

Luego, la caída de voltaje en RB también disminuye, con la disminución de la resistencia debido a que el diodo emisor está fuertemente polarizado hacia adelante. Esto, a su vez, da como resultado una corriente de avance mayor y, como resultado, se inyectan portadores de carga y provocará la reducción de la resistencia de la región RB. Por lo tanto, la corriente del emisor sigue aumentando hasta que la fuente de alimentación del emisor está en un rango limitado.

VA disminuye con el aumento de la corriente del emisor y UJT tiene la característica de resistencia negativa. La base 2 se usa para aplicar voltaje externo VBB a través de ella. Los terminales E y B1 son los terminales activos. UJT generalmente se activa aplicando un pulso positivo al emisor, y se puede apagar aplicando un pulso de activación negativo.

Gracias por dedicar su valioso tiempo a este artículo, y esperamos que haya recibido un buen contenido sobre las aplicaciones UJT. Comparta sus puntos de vista sobre este tema comentando a continuación.

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